WorldCat Identities

Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble)

Overview
Works: 135 works in 140 publications in 2 languages and 461 library holdings
Genres: Conference papers and proceedings 
Roles: 981, 984, Editor
Publication Timeline
.
Most widely held works by Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble)
26th European Mask and Lithography Conference : 18-20 January 2010, Grenoble, France by European Mask and Lithography Conference( )

2 editions published in 2010 in English and held by 72 WorldCat member libraries worldwide

EMLC 2007 : 23rd European Mask and Lithography Conference : 22-25 January 2007, Grenoble, France by European Mask and Lithography Conference( Book )

1 edition published in 2007 in English and held by 16 WorldCat member libraries worldwide

Transducers '07, Lyon & Eurosensors XXI : the 14th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators, and Microsystems : Cité I Centre des Congrès, Lyon, France, June 10-14, 2007 : digest of technical papers by Actuators, and Microsystems International Conference on Solid-State Sensors( Book )

2 editions published in 2007 in English and held by 6 WorldCat member libraries worldwide

Système d'acquisition de données et de télétraitement géré par un petit calculateur by Mathurin Le Sourne( Book )

in French and held by 6 WorldCat member libraries worldwide

Développement de nanoparticules lipidiques pour la délivrance de courtes séquences d'ARN interférents by Jonathan Bruniaux( )

1 edition published in 2014 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

L'auteur n'a pas fourni de résumé en anglais
Compte-rendu by Seminaire des Utilisateurs du Traitement du Signal( Book )

in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Modélisation physique des procédés de fabrication des jonctions FDSOI pour le nœud 10 nm et en-deçà by Anthony Payet( )

1 edition published in 2017 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The junction fabrication involve numerous technological challenges as the devices shrink. To alleviate issues brought by the aggressive device scaling, Fully Depleted SOI substrates as well as strained silicon-germanium (SiGe) have been introduced in advanced nodes. They however require a highly-activated abrupt junction achievable with solid phase epitaxial regrowth (SPER) and a low thermal budget (500$^circ$C-5h).In this manuscript, the SPER of silicon, germanium and SiGe alloys is investigated using Kinetic Monte Carlo (KMC) and Molecular Dynamics (MD) methods. The KMC model of SPER uses an Arrhenius equation and distinguishes local configurations at the amorphous-crystalline interface to simulate the SPER rate dependence on substrate orientations. In MD simulations, the SPER rate on {111} orientations is found to heavily depends on the cell size, anneal temperature and time.The KMC model is furthermore refined to consider the effect of boron during SPER. Boron is known to create complexes in both amorphous and crystalline phases and increase the SPER rate. This increase however saturates at high boron concentrations. A defect reaction model handling the complexes has been conjoined to the SPER model to correctly simulate the SPER rate behaviour for all boron concentrations.In relaxed (100)SiGe alloys, the SPER activation energy possesses a maximum at 40% of Ge concentration. The KMC model introduces in addition to Si-Si and Ge-Ge bonds, the Si-Ge bond to correctly simulate alloy recrystallisation. The model is also used to hypothesise the rates on other orientations. MD simulations also confirm the activation energy behaviour in SiGe alloys.Finally, X-ray diffractions following in real-time the recrystallisation of strained SiGe alloys are performed with synchrotron radiations. The strain is lost in Ge-rich alloys. The strain relaxation can be related to the anneal temperature. The interface roughness could be the link between the strain relaxation and the temperature, as MD simulations exhibit an influence of the anneal temperature on the interface roughness and strain relaxing defects are associated to a rough interface.In summary, the SPER and its several dependencies are investigated in this manuscript with atomistic approaches. The drawn conclusions increase the current understanding of SPER, allowing a better optimisation of junction fabrication
Etude des mécanismes affectant la fiabilité des oxydes enterrés ultra-minces et des dispositifs avancés en technologie FDSOI by Guillaume Besnard( )

1 edition published in 2016 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Avec une introduction pour le nœud technologique 28nm, l'architecture FDSOI planaire devient une alternative intéressante pour adresser les marchés microélectroniques nécessitant une faible voire très faible consommation d'énergie. Elle se différencie principalement grâce à sa technologie de polarisation arrière, dite Back-Bias, afin de moduler la tension de seuil des transistors avec une grande efficacité. Cette modulation permet alors d'adapter le fonctionnement du circuit pour augmenter les performances ou diminuer la consommation. En plus de l'utilisation de film de SOI minces propre à l'architecture, les substrats FDSOI nécessite l'intégration d'oxydes enterrés minces afin de rendre possible la modulation de tension de seuil. Dans ce manuscrit, nous présentons une étude de la fiabilité des oxydes enterrés minces à travers un ensemble de caractérisations électriques et physico-chimiques dans le but d'évaluer leur durée de vie et l'impact de leur dégradation sur les dispositifs. Dans un premier temps, nous donnerons les éléments nécessaires à la compréhension de la dégradation des oxydes dans un contexte d'applications microélectroniques. Les phénomènes évoqués seront alors appliqués aux oxydes enterrés à travers différentes méthodes de caractérisation. Dans un second temps, nous ferons un état de l'art de la fabrication des substrats FDSOI et comparons ainsi la qualité des UTBOX à un oxyde thermique SiO2 de référence par l'intermédiaire de la mesure de charge au claquage (QBD). Plusieurs optimisations seront alors proposées et évaluées pour améliorer cette fiabilité. Ensuite, à partir d'un suivi de la dégradation du volume de l'oxyde et des interfaces, nous chercherons à expliquer le vieillissement de ces oxydes en le rattachant au modèle de percolation. Enfin, nous évaluerons la fiabilité de transistors FDSOI et mesurerons l'impact de la dégradation de l'interface arrière sur leur fonctionnement. Lors de cette étude, nous ferons une comparaison de la fiabilité entre des dispositifs non-contraints et des dispositifs intégrant un canal de silicium contraint en tension réalisés sur des substrats sSOI. Les substrats sSOI sont prévus pour être utilisés sur un nœud technologique 10nm afin d'augmenter la performance des transistors NMOS
Étude de modulation et codage conjoint avec récepteur itératif pour la couche physique des réseaux longue portée bas débit by Yoann Roth( )

1 edition published in 2017 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

More than 10% of the Internet-of-Things (IoT) connections are expected to be realized through Low Power Wide Area (LPWA) networks, representing several billions of connected devices. Several industrial solutions have been developed and a standardization process is ongoing. The low levels of sensitivity and low data rate required for the long range communication are achieved by the means of two strategies: a narrow-band strategy and a low spectral efficiency strategy. Considering the limits of the information theory, additional gains in the communication's energy efficiency can be achieved. Nonetheless, a trade-off between spectral efficiency and energy efficiency should always be made. Reliable transmission with high energy efficiency will necessarily result in poor spectral efficiency, and in comparison, a system with a higher spectral efficiency has to consume more energy to transmit the same amount of bits with the same arbitrary level of error.This work considers the low spectral efficiency strategy. The combination of orthogonal modulations and a powerful channel code is studied. The scheme, so-called Turbo-FSK, associates the low spectral efficiency of Frequency Shift Keying (FSK) with the energy efficiency gain of a turbo receiver. Low levels of spectral efficiency can be achieved while optimizing the use of the available resource. The parameters of the scheme are optimized using a classic tool for iterative receivers, the Extrinsic Information Transfer (EXIT) chart. Performance of Turbo-FSK compared to existing LPWA solutions demonstrates the potential of the proposed solution to achieve low levels of sensitivity and to outperform existing schemes. However, the restrictions on low levels of spectral efficiency reduces the number of possible applications for the scheme. By introducing a linear component in the alphabet and a puncturing procedure, flexibility in spectral efficiency is achieved. A large range of spectral efficiencies can be obtained while maintaining performance close to the channel capacity theoretical limit. Eventually, more practical scenarios are considered for evaluating the performance of the scheme. Frequency selective channels are considered and an encapsulation in a Fast Fourier Transform (FFT) based system is implemented. Various indicators are studied and the Turbo-FSK scheme is compared to well-known technologies, such as schemes using Orthogonal Frequency Division Multiplexing (OFDM) associated with a powerful Forward Error Correction (FEC) scheme, namely Turbo Code (TC)
Perspectives de biocapteurs nanoélectronique avec spectroscopie d'impédance à haute fréquence by Federico Pittino( )

1 edition published in 2015 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Negli ultimi anni la possibilità di combinare nanoelettronica e biosensoristica ha apertoun campo di ricerca molto vasto e promettente, che ha il potenziale di rivoluzionare labiologia analitica e di consentire diagnostica pervasiva e medicina personalizzata. Lepiattaforme di biosensori nanoelettronici integrati sono potenzialmente in grado di fornirecompensazioni e calibrazioni hardware, firmware programmabili, una maggiore sensibilitàa causa delle ridotte dimensioni, elevato parallelismo, riduzione notevole dei costi e delledimensioni e i vasti mercati necessari per il settore dei semiconduttori. Come nel casodi tutti i sensori nanoelettronici integrati, un progetto affidabile e conveniente è possibilesolo se sono disponibili modelli accurati per comprendere e prevedere quantitativamente ilprocesso di trasduzione del segnale. Tuttavia, con l'eccezione di alcuni pionieristici sforzi,mancano ancora spesso modelli analitici e numerici calibrati per descrivere accuratamentela risposta della maggior parte dei concept di biosensori.Animati dalla volontà di colmare questa lacuna, in questo lavoro sviluppiamo modellianalitici compatti e complessi strumenti di simulazione numerica per lo studio della catenadi trasduzione in biosensori nanoelettronici impedimetrici. In particolare, il simulatore3D ENBIOS, interamente sviluppato e convalidato durante questa tesi, è uno strumentogenerale che può essere facilmente ampliato per includere nuovi effetti fisici o descrizionipiù sofisticate di elettroliti e analiti accoppiati ai dispositivi a semiconduttore. I modellirilevano l'esistenza di due frequenze di taglio rilevanti che regolano la risposta impedimet-rica del biosensore, rivelano le dipendenze della risposta del biosensore all'analita e allecondizioni ambientali e l'esistenza di firme ben definite nel segnale di impedenza.Gli strumenti analitici e numerici sono attentamente verificati e poi utilizzati per esam-inare diversi casi di studio. Il primo che consideriamo è un biosensore impedimetrico amatrice di nanoelettrodi. In collaborazione con l'Università di Twente, studiamo la suarisposta a micro-particelle conduttive e dielettriche in condizioni sperimentali ben con-trollate. I risultati della simulazione sono in ottimo accordo con le misure e ci fornisconoinformazioni sulle condizioni di rilevamento ottimali. Studiando la risposta del biosensorea piccole particelle, come proteine, virus o DNA, confermiamo quindi tramite simulazionii vantaggi della spettroscopia di impedenza ad alta frequenza, in particolare la capacitàdei segnali in AC a frequenza superiore alla frequenza di taglio di rilassamento dielettricodell'elettrolita di superare lo screening di Debye e di sondare il volume dell'elettrolita conuna sensibilità quasi indipendente da posizione e carica della particella e dalla concen-trazione salina.Come secondo esempio notevole consideriamo il caso di un biosensore a Nanofilo diSilicio (SiNW). Eseguiamo misure e simulazioni su SiNWs in regime AC in collaborazionecon i laboratori CEA / LETI ed EPFL / CLSE. Dimostriamo il funzionamento dei SiNWsin AC, in particolare per applicazioni di misura del pH. Infine, confermiamo i vantaggipotenziali di un biosensore a SiNW operante in alta frequenza, al fine di aumentarel'intensità della risposta rispetto al caso di funzionamento in DC
Intégration du collage direct : couches minces métalliques et évolutions morphologiques by Paul Gondcharton( )

1 edition published in 2015 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The semiconductor industry is driven by an increasing need of computation speed and functionalities. In the development of next generation devices the integration of more functionalities in an ever smaller volume becomes paramount. So far, classical planar integration was privileged but it is currently reaching its limits. One solution to this technological challenge is to consider the 3D dimension as pathway of integration. To ensure the vertical stacking of circuits, the development and control of assembly processes becomes crucial. Among the different techniques under development, direct bonding of metal thin films is a promising solution. It is a straightforward option that offers both a mechanical and an electrical link between the active strata.Microstructural, physical and chemical properties of deposited metal thin films were widely reported in previous state of art. However, they have not yet been studied in the specific bonding environment. The main goal of our study is to pinpoint the impact of this environment during and after the process of assembly.Direct bonding process consists in putting into contact smooth surfaces at room temperature and ambient air which in appropriate conditions leads to the establishment of attractive forces. Since bonding is not operated under vacuum, adsorbed species are trapped at the interface and the metal bonding suffers from the formation of native oxide. The encapsulation of these species as well as the native metal oxide interfere with the bonding process and the establishment of an electrical contact.In this study, various bonded structures have been realized using an extended set of metals in different thin film configurations. Metal oxide layers impact is clearly highlighted via the monitoring of adhesion properties of the assemblies. In the Cu-Cu direct bonding case, the interfacial water reaction is primordial in the strengthening of bonding toughness at room temperature. At higher temperature, oxide dissolution and vertical grain growth are driving forces in the sealing of bonding interface. The microstructure play a role in all these phenomena since grain boundaries are favorite diffusion pathway in thin films. Considering the temperature limitation imposed by the integration, we also highlight that refractory metal thin films needs another bonding approach compared to the transient metals. The understanding of bonding mechanisms throws new light on the use of direct bonding process in the realization of future electrical components
Etude des transistors en couches minces à base d'IGZO pour leur application aux écrans plats à matrice active LCD et OLED by Thi Thu Thuy Nguyen( )

1 edition published in 2014 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

This thesis aims to study thin-film transistors (TFTs) based on Indium Gallium Zinc Oxide (IGZO) in the framework of applications in active matrix flat panel LCD and OLED display. The TFT fabrication process and the characterization of IGZO deposited film are two key studies in this thesis in order to obtain TFT electrical characteristics close to the state-of-the-art. We have also studied the passivation which is identified as crucial for stabilizing the TFT and achieving good performance.The deposition of the active layer and the fabrication process of TFT are firstly studied. Smooth surface of deposited films is demonstrated by AFM and the absence of the crystalline peak of the material is shown by X-ray diffraction. The density of charge carriers decreases with the increase of oxygen flow rate. The active layer deposited at 200°C and at 4 sccm of oxygen flow has a carrier density in the order of 1E17 cm-3 which is suitable for TFT operation. This condition is chosen to fabricate IGZO-based TFT in this thesis.In a second step, we have evaluated the influence of annealing condition on TFTs' electrical characteristics. Annealing in oxygen leads to operational TFTs while doing the same under nitrogen or the absence of annealing suppresses field-effect behavior. Our studies have also shown that annealing temperature of 300°C is suitable to obtain good performance of the transistors. From this study, we have obtained TFTs with high mobility (between 5 and 15 cm2/Vs), high ION/IOFF ratios (about 1E7), and reasonable sub threshold slope (about 0.3 V/decade). The threshold voltage (VT) however remains low (between -4 and -2 V) and needs to be improved.Finally, we have investigated the impact of a passivation layer on the performance of IGZO TFTs. SiO2 film (deposited by PECVD) and Al2O3 film (formed by ALD) were studied. We have observed that such passivation can degrade the TFTs rather than protecting them. Concretely, VT shifts in negative direction when increasing the Al2O3 layer thickness or the silane flow during SiO2 deposition. Principal reason for this shift is the presence of hydrogen which is generated during passivation. We have evaluated some solutions to reduce the degradation during deposition and ensure a good protection of the TFTs
Etude d'un magnéto-électromètre marin : conception, dimensionnement optimisé et réalisation d'un prototype by Mathieu Baicry( )

1 edition published in 2015 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

La mesure des champs électromagnétiques très basses fréquences en mer est utilisée pour de nombreuses applications, dont les principales sont militaires et géophysiques. Les besoins pour ces applications sont des capteurs capables d'effectuer des mesures à très basses fréquences avec un niveau de bruit inférieur au nV.m^(-1).Hz^(-1/2).Les électromètres commerciaux et académiques utilisés actuellement pour la mesure des champs électriques en mer sont à mesure de tension. Leur inconvénient majeur est une remontée de bruit aux basses fréquences, due à l'électronique d'amplification du signal. Une autre méthode de mesure des champs électriques en mer consiste à mesurer le courant traversant un dispositif de faible impédance. Nous avons conçu un électromètre à mesure de courant et magnétomètre au sein du même capteur, en essayant de pallier les défauts des électromètres passés et actuels.Dans un premier temps, nous décrivons le milieu dans lequel le capteur sera amené à fonctionner, puis les applications auxquelles il est destiné, et enfin l'état de l'art des capteurs existant et leurs limites.Nous décrivons ensuite de manière détaillée le comportement du capteur. En particulier, nous déterminons par simulation et de manière expérimentale les différentes fonctions de transfert du capteur, en fonction de ses caractéristiques géométriques et de son environnement.Après avoir présenté plusieurs architectures possibles d'électromètres répondant aux objectifs fixés, nous utilisons les résultats obtenus au chapitre précédent pour dimensionner un électromètre dont la conductivité équivalente n'est pas forcément égale à celle de l'eau de mer. Ce degré de liberté supplémentaire par rapport aux contraintes de conception des électromètres à mesure de courant passés permet d'améliorer les performances du capteur. Enfin nous proposons deux méthodes de calibration de l'électromètre, sans connaissance a priori de son environnement.Enfin nous caractérisons les différents éléments d'un prototype de laboratoire, et nous présentons les résultats des tests de ce prototype complet
Tomographie optique diffuse : une approche résolue en temps pour les mesures en réflectance à courtes distances entre sources et détecteurs by Agathe Puszka( )

1 edition published in 2013 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

La tomographie optique diffuse (TOD) est une technique d'imagerie médicale émergente utilisant la lumière proche infrarouge pour sonder les tissus biologiques. A partir de mesures non-invasives, cette technique permet d'obtenir les cartes en trois dimensions des coefficients d'absorption et de diffusion à l'intérieur des organes. Avec une approche multi-spectrale, la distribution spatiale des chromophores endogènes (hémoglobine, eau) peut aussi être obtenue. Pour certaines applications cliniques, il est souhaitable d'effectuer les mesures de TOD avec une sonde compacte qui regroupe tous les couples source-détecteur. Cependant, dans cette configuration, la sensibilité en profondeur est un défi majeur. Dans le cadre de cette thèse, nous proposons d'adresser ce challenge en utilisant des mesures résolues en temps. Une approche résolue en temps est développée pour optimiser la TOD dans le cas des mesures de réflectance à faibles distances source-détecteur. Cette approche inclut des aspects méthodologiques concernant le traitement des mesures résolues en temps par des algorithmes de TOD basés sur la transformée de Mellin-Laplace. Cette approche comporte aussi un volet instrumental qui consiste à optimiser la chaîne de détection sur deux points précis pour améliorer la détection et la localisation de contraste d'absorption en profondeur dans les milieux diffusants. Tout d'abord, l'impact de la réponse temporelle du détecteur est étudié avec des détecteurs de photons uniques disponibles dans le commerce (photomultiplicateurs classiques et hybrides). Dans un second temps, l'augmentation de la profondeur sondée avec de nouveaux détecteurs de photons uniques, les fast-gated single-photon avalanche diodes, est explorée au cours d'une collaboration avec le Politecnico de Milan. Pour finir, une étude illustre les performances de l'approche proposée en termes de résolution spatiale en profondeur pour différents arrangements des sources et détecteurs dans une sonde optique. Des sondes optiques dont la largeur est limitée à quelques centimètres ouvrent la voie à de nouvelles applications cliniques pour la TOD. Ces sondes peuvent accéder à des organes internes comme la prostate ou faciliter les examens médicaux sur des organes externes comme le sein ou le cerveau
Electrical and physicochemical characterization of metal gate processes for work function modulation and reduction of local VTH variability in 14FDSOI technologies by Carlos Augusto Suarez Segovia( )

1 edition published in 2016 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

This Ph.D. thesis is focused on the fabrication and electrical and physicochemical characterization of metal gates in 14 nm high-K based FDSOI MOSFET devices, manufactured at STMicroelectronics. These metal gates are composed of TiN, lanthanum and aluminum layers, deposited by RF sputtering. Test structures and a simplified integration scheme allowing C-V measurements, have been implemented in order to characterize the modulation of the effective work function of TiN metal gates with the incorporation of dopants such as lanthanum or aluminum. These additives are incorporated in a sacrificial gate-first approach. Furthermore, a new methodology based on X-ray fluorescence was proposed and validated for accurate in-line characterization of the diffusion of dopants. This methodology enables to prove that the effective dose of the species incorporated into dielectrics after diffusion annealing may be modeled as a function of the thickness of the pedestal TiN in the sacrificial gate and the annealing temperature. Moreover, the variation of the thickness of the interfacial oxide along the wafer (bevel oxide) authorizes the identification of the origin of the modulation of the effective work function, which is explained by a dipole that evolves with the effective dose of the incorporated dopant. Accordingly, a model of the diffusion of dopants into the gate dielectrics and their impact on the effective work function of metal gates has been proposed to precisely modulate the threshold voltage (VTH) of the 14 nm FDSOI devices. In addition, the influence of the high-K oxide on both the diffusion of dopants and the modulation of the effective work function was highlighted. Lastly, an innovative process for metal deposition, allowing the modification of the microstructure of TiN, was developed in order to further improve the local VTH variability in FDSOI devices
Caractérisation électrique des propriétés d'interface dans les MOSFET nanométriques par des mesures de bruit basse fréquence by Masahiro Koyama( )

1 edition published in 2015 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Dans cette thèse, les propriétés électriques de transistors à nanofils de silicium liées à l'interface oxyde de grille/canal ont été étudiées par le biais de mesures de bruit basse fréquence (bruit 1/f) et de transport dans le canal. Ces transistors nanofils dont les dimensions ont été réduites jusqu'à quelques nanomètres pour la section, représentent une alternative sérieuse pour les futurs nœuds technologiques CMOS. Cependant, la qualité de l'interface oxyde de grille/canal pose question pour transistors dont l'architecture s'étend dans les 3 dimensions, en raison du fort rapport surface/volume inhérent à ces transistors, des différentes orientations cristallographiques de ces interfaces, ou encore des matériaux contraints utilisés pour améliorer les performances électriques. La compréhension des liens entre les propriétés de transport des porteurs dans le canal, qui garantissent en grande partie les performances électriques des transistors, et la qualité de l'interface avec l'oxyde de grille est fond primordiale pour optimiser les transistors nanofils. Les mesures de bruit, associées à l'étude du transport dans le canal, sont un outil puissant et adapté à ces dispositifs tridimensionnels, sans être limité par la taille ultra-réduite des transistors nanofils. Les transistors nanofils étudiés ont été fabriqués à partir de substrats minces SOI, et intègrent un empilement de grille HfSiON/TiN, qui permet de réduire les dimensions tout en conservant les mêmes propriétés électrostatiques. Pour gagner en performances, des contraintes mécaniques ont été introduites dans le canal en silicium : en tension pour les NMOS, par le biais de substrat contraint (sSOI), et en compression pour les PMOS. Un canal en compression uni-axiale peut être obtenu par l'intégration de source/drain en SiGe et/ou par l'utilisation de couches contraintes de type CESL. Des transistors à canal SiGe sur isolant en compression ont également été fabriqués et étudiés. Les caractéristiques électriques des divers transistors nanofils (courbes Id-Vg, compromis Ion-Ioff, mobilité des porteurs) démontrent l'excellent contrôle électrostatique dû à l'architecture 3D, ainsi que l'efficacité de l'ingénierie de contraintes dans les nanofils jusqu'à de faibles longueurs de grilles (~17nm). Des mesures de bruit basse fréquence ont été réalisées sur ces mêmes dispositifs et analysées en fonction des paramètres géométriques de l'architecture nanofils (largeur W, forme de la section, longueur de grille L), et des diverses variantes technologiques. Nous avons démontré que le bruit 1/f dans les transistors nanofils peut être décrit par le modèle de fluctuations du nombre de porteurs (CNF) corrélées aux fluctuations de mobilité (CMF). Le bruit associé aux régions S/D a pu également être intégré dans ce modèle en ajoutant une contribution, en particulier pour les PMOS. Alors que les différentes variantes technologiques ont peu d'effet sur le bruit 1/f, les variations de géométrie en L et W changent la composante de bruit liée aux fluctuations du nombre de porteurs (CNF) de manière inversement proportionnelle à la surface totale (~1/WL). Cette augmentation du bruit est le reflet du transport qui se produit à proximité des interfaces avec l'oxyde. Les différentes orientations des interfaces supérieures et latérales (110) ou (100) présentent la même quantité de pièges d'interface (extrait à partir des mesures de bruit 1/f, en séparant les contributions des différentes faces du nanofil) bien qu'ayant une rugosité différente essentiellement liée au process. En revanche la composante CMF n'est pas altérée par la réduction des dimensions contrairement à la mobilité des porteurs qui décroit fortement avec L. Finalement, les mesures de bruit 1/f ont été comparées aux spécifications ITRS 2013 pour les transistors multi-grilles en vue des futurs nœuds technologiques de la logique CMOS, et démontrent que nos transistors nanofils satisfont les exigences en la matière
Compréhension des mécanismes de dopage arsenic de CdHgTe par implantation ionique by Clément Lobre( )

1 edition published in 2014 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

This thesis addresses the incorporation of arsenic in HgCdTe but also its activation and the related diffusion duringhigh temperature annealing. For each item, a large panel of characterization tools was used in order to obtain abetter understanding of p-type doping of HgCdTe by arsenic implantation.Irradiation induced annealing during ion implantation has been demonstrated with a saturation fluence of about2.1014 at.cm-2. A simple model enabled us to evaluate the diffusion coefficient of arsenic and to evidence the majorrole of mercury in the diffusion process. The solubility limit of arsenic in the HgCdTe alloy was determined forthe three most common compositions used for infrared applications. For arsenic concentration over this limit, theformation of arsenic-rich nanocrystals was demonstrated by transmission electron microscopy coupled with nanoscalechemical mapping. This first experimental evidence of arsenic clustering explains why some of the arsenicdoes not participate in the diffusion process. However, the exact chemical and crystallographic nature of thesenanocrystals remains unknown. The measurement of the depth profile of carrier density allows us to demonstratethe electrical inactivity of arsenic-rich nanocrystals. On the other hand, almost 100 % of the mobile arsenic is foundto be activated as an acceptor. The formation of AsHg8 complexes was proposed to explain the activation and thediffusivity of arsenic in HgCdTe.Ion implantation of nitrogen, phosphorus and antimony was studied and its behavior compared to that of arsenic.For nitrogen and phosphorus, a trapping effect that blocks the dopant diffusion was observed. Therefore, a goodquality doping cannot be achieved under these conditions. Antimony exhibits a faster diffusion than arsenic and theactivation as an acceptor of more than 21 % of mobile antimony was demonstrated. Even if the antimony behaviorseems interesting, arsenic exhibits the most promising properties for HgCdTe doping among all studied elements.As well as restoring a good crystal quality, our annealing conditions allow the activation of most of arsenic as anacceptor
Caractérisation électrique et étude TEM des problèmes de fiabilité dans les mémoires à changement de phase enrichis en germanium by Martin Coué( )

1 edition published in 2016 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Dans cette thèse, nous proposons une étude détaillée des mécanismes responsables de la perte de données dans les mémoires à changement de phase enrichies en germanium (Ge-rich PRAMs), à savoir la dérive de la résistance au cours du temps et la recristallisation de la phase amorphe. Nous commençons par une présentation du contexte dans lequel s'inscrit cette étude an donnant un aperçu rapide du marché des mémoires à semiconducteur et une comparaison des mémoires non volatiles émergentes. Les principes de fonctionnement de la technologie PRAM sont introduits, avec ses avantages, ses inconvénients, ainsi que la physique régissant le processus de cristallisation dans les matériaux à changement de phase, avant de décrire les problèmes de fiabilité qui nous intéressent.Une caractérisation électrique complète de dispositifs intégrant des alliages de GST enrichi en germanium est ensuite proposée, en commençant par la caractérisation des matériaux utilisés dans nos cellules, introduisant alors les avantages des alliages enrichis en Ge sur le GST standard. Les performances électriques des dispositifs intégrant ces matériaux sont analysées, avec une étude statistique des caractéristiques SET & RESET, de la fenêtre de programmation, de l'endurance et de la vitesse de cristallisation. Nous nous concentrons ensuite sur le thème principal de cette thèse en analysant la dérive en résistance de l'état SET de nos dispositifs Ge-rich, ainsi que les performances de rétention de l'état RESET.Dans la dernière partie, nous étudions les mécanismes physiques impliqués dans ces phénomènes en fournissant une étude détaillée de la structure des cellules, grâce à l'utilisation de la Microscopie Électronique en Transmission (MET). Les conditions et configurations expérimentales sont décrites, avant de présenter les résultats qui nous ont permis d'aller plus loin dans la compréhension de la dérive en résistance et de la recristallisation de la phase amorphe dans les dispositifs Ge-rich. Une discussion est finalement proposée, reliant les résultats des caractérisations électriques avec ceux des analyses TEM, conduisant à de nouvelles perspectives pour l'optimisation des dispositifs PRAMs
Etude de la variabilité des technologies PCM et OxRAM pour leur utilisation en tant que synapses dans les systèmes neuromorphiques by Daniele Garbin( )

1 edition published in 2015 in English and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

The human brain is made of a large number of interconnected neural networks which are composed of neurons and synapses. With a low power consumption of only few Watts, the human brain is able to perform computational tasks that are out of reach for today's computers, which are based on the Von Neumann architecture. Neuromorphic hardware design, taking inspiration from the human brain, aims to implement the next generation, non-Von Neumann computing systems. In this thesis, emerging non-volatile memory devices, specifically Phase-Change Memory (PCM) and Oxide-based resistive memory (OxRAM) devices, are studied as artificial synapses in neuromorphic systems. The use of PCM devices as binary probabilistic synapses is studied for complex visual pattern extraction applications, evaluating the impact of the PCM programming conditions on the system-level power consumption.A programming strategy is proposed to mitigate the impact of PCM resistance drift. It is shown that, using scaled devices, it is possible to reduce the synaptic power consumption. The OxRAM resistance variability is evaluated experimentally through electrical characterization, gathering statistics on both single memory cells and at array level. A model that allows to reproduce OxRAM variability from low to high resistance state is developed. An OxRAM-based convolutional neural network architecture is then proposed on the basis of this experimental work. By implementing the computation of convolution directly in memory, the Von Neumann bottleneck is avoided. Robustness to OxRAM variability is demonstrated with complex visual pattern recognition tasks such as handwritten characters and traffic signs recognition
Vers un dispositif de diagnostic point of care intégré : utilisation de la capillarité ainsi que des procédés de thermoformage et de sérigraphie. by David Gosselin( )

1 edition published in 2017 in French and held by 3 WorldCat member libraries worldwide

Grâce aux technologies de la microfluidique (i.e. la manipulation d'un fluide dans un système ayant une dimension caractéristique sub-millimétrique), il est possible d'imaginer l'intégration de l'ensemble des fonctions ordinairement réalisées en laboratoire dans un système miniaturisé, réalisant ainsi un laboratoire sur puce. Cela peut ainsi permettre d'allier efficacité et bas-coût requis pour la réalisation de dispositif de diagnositcs médicaux utilisable en dehors d'infrastructure médicalisée, souvent appelés systèmes Point-of-Care. Pour la réalisation d'un tel dispositif, il semble important de concevoir l'intégration des différents composants du système d'une façon cohérente, et en prenant en compte l'ensemble des contraintes imposées par l'application finale ciblée. Le travail effectué au cours de cette thèse a ainsi été réalisé dans l'optique de proposer une réponse à cette problématique d'intégration dans le cadre du développement d'un système microfluidique de diagnostic Point-of-Care basé sur une réaction d'amplification d'ADN isotherme LAMP. Afin de pouvoir proposer un système bon marché et dont l'industrialisation est aisée, nous avons fait appel à l'utilisation du papier comme support et au thermoformage comme moyen de production. En effet à la fois l'industrie papetière et le procédé de thermoformage sont d'ores et déjà existant et proposent des fabrications en série. De plus, le faible coût du matériau et du procédé en question permettent d'envisager un dispositif final à bas-coût. Afin de pouvoir effectuer et détecter la réaction de LAMP la présence de fonctions actives telles qu'un chauffage et un outil de détection est nécessaire. Pour ces dernières, l'intégration a été réalisée par procédé sérigraphique. Le chauffage est effectué par effet Joule grâce au dépôt d'une couche d'encre conductrice à base de carbone. La détection est quant à elle faite par méthode potentiométrique, à l'aide d'électrode couverte de polyaniline. Il sera également montré que l'utilisation de ces méthodes de fabrication est pertinente en termes d'intégration car elles permettent une superposition des différentes fonctions actives, mais également leur intégration directement dans le système microfluidique
 
moreShow More Titles
fewerShow Fewer Titles
Audience Level
0
Audience Level
1
  Kids General Special  
Audience level: 0.78 (from 0.58 for Transducer ... to 0.96 for Etude de l ...)

Alternative Names
CEA/DRT/LETI

CEA/LETI

CEA-Leti: Laboratoire d'électronique des technologies de l'information Laboratory

CEA-Tech/LETI

Centre d'études nucléaires (Grenoble). Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information

Centre d'études nucléaires Grenoble Laboratoire d'électronique et de technologie de l'informatique

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (France). Direction de la recherche technologique. Laboratoire d'électronique de technologie de l'information (Grenoble)

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (France). Laboratoire d'électronique de technologie de l'information (Grenoble)

Commissariat à l'énergie atomique France Division d'électronique, de technologie et d'instrumentation

Commissariat à l'énergie atomique France Division LETI

Commissariat à l'énergie atomique France Laboratoire d'électronique et de technologie de l'informatique Grenoble

Laboratoire d'électronique de technologie de l'information. Grenoble

Laboratoire d'électronique, de technologie et d'instrumentation (Grenoble)

Laboratoire d'électronique et de technologie de l'informatique Grenoble

Léti

電子情報技術研究所

Languages
English (13)

French (9)