přejít na obsah
A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint Náhled dokumentu
ZavřítNáhled dokumentu
Probíhá kontrola...

A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint

Autor Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
Vydavatel: [Golden, CO] : National Renewable Energy Laboratory, [2012]
Edice: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Vydání/formát:   e-kniha : Document : Conference publication : National government publication : English
Databáze:WorldCat
Hodnocení:

(ještě nehodnoceno) 0 zobrazit recenze - Buďte první.

Předmětová hesla:
Více podobných

 

Najít online exemplář

Odkazy na tento dokument

Vyhledat exemplář v knihovně

&AllPage.SpinnerRetrieving; Vyhledávání knihoven, které vlastní tento dokument...

Detaily

Typ materiálu: Conference publication, Document, Government publication, National government publication, Internetový zdroj
Typ dokumentu: Internet Resource, Computer File
Všichni autoři/tvůrci: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
OCLC číslo: 805582275
Poznámky: Title from title screen (viewed on Aug. 6, 2012).
"June 2012."
"Presented at the 2012 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Austin, Texas, June 3-8, 2012."
Popis: 1 online resource (3 p.) : ill.
Název edice: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Odpovědnost: Harvey Guthrey ... [et al.].

Recenze

Recenze vložené uživatelem
Nahrávání recenzí GoodReads...
Přebírání recenzí DOGO books...

Štítky

Buďte první.

Podobné dokumenty

Potvrdit tento požadavek

Tento dokument jste si již vyžádali. Prosím vyberte Ok pokud chcete přesto v žádance pokračovat.

Propojená data


<http://www.worldcat.org/oclc/805582275>
library:oclcnum"805582275"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
owl:sameAs<info:oclcnum/805582275>
rdf:typeschema:Book
schema:about
schema:about
schema:about
schema:bookFormatschema:EBook
schema:contributor
<http://viaf.org/viaf/153668500>
rdf:typeschema:Organization
schema:name"National Renewable Energy Laboratory (U.S.)"
schema:contributor
schema:contributor
schema:datePublished"2012"
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/1150458739>
schema:inLanguage"en"
schema:name"A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material preprint"
schema:publisher
schema:url
schema:url<http://purl.fdlp.gov/GPO/gpo26391>

Content-negotiable representations

Zavřít okno

Prosím přihlaste se do WorldCat 

Nemáte účet? Můžete si jednoduše vytvořit bezplatný účet.