přejít na obsah
A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint Náhled dokumentu
ZavřítNáhled dokumentu
Checking...

A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint

Autor Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
Vydavatel: [Golden, CO] : National Renewable Energy Laboratory, [2012]
Edice: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Vydání/formát:   book_digital : Document : Conference publication : National government publication : English
Databáze:WorldCat
Rating:

(ještě nehodnoceno) 0 zobrazit recenze - Be the first.

Předmětová hesla:
Více podobných

 

Najít online exemplář

Odkazy na tento dokument

Vyhledat exemplář v knihovně

&AllPage.SpinnerRetrieving; Vyhledávaní knihoven, které vlastní tento dokument...

Detaily

Typ materiálu: Conference publication, Document, Government publication, National government publication, Internet resource
Typ dokumentu: Internet Resource, Computer File
Všichni autoři/tvůrci: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
OCLC číslo: 805582275
Poznámky: Title from title screen (viewed on Aug. 6, 2012).
"June 2012."
"Presented at the 2012 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Austin, Texas, June 3-8, 2012."
Popis: 1 online resource (3 p.) : ill.
Název edice: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Odpovědnost: Harvey Guthrey ... [et al.].

Reviews

User-contributed reviews
Retrieving GoodReads reviews...
Retrieving DOGObooks reviews...

Štítky

Buďte první.

Podobné dokumenty

Potvrdit tento požadavek

Tento dokument jste si již vyžádali. Prosím vyberte Ok pokud chcete přesto v žádance pokračovat.

Propojená data


<http://www.worldcat.org/oclc/805582275>
library:oclcnum"805582275"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
owl:sameAs<info:oclcnum/805582275>
rdf:typeschema:Book
rdfs:seeAlso
schema:about
schema:about
schema:about
schema:bookFormatschema:EBook
schema:contributor
schema:contributor
rdf:typeschema:Organization
schema:name"IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2012 : Austin, Taxas)"
schema:contributor
schema:datePublished"2012"
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/1150458739>
schema:inLanguage"en"
schema:name"A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material preprint"
schema:publisher
rdf:typeschema:Organization
schema:name"National Renewable Energy Laboratory"
schema:url<http://purl.fdlp.gov/GPO/gpo26391>

Content-negotiable representations

Zavřít okno

Prosím přihlašte se do WorldCat 

Nemáte účet? Můžete si jednoduše vytvořit bezplatný účet.