doorgaan naar inhoud
A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint Voorbeeldweergave van dit item
SluitenVoorbeeldweergave van dit item
Bezig met controle...

A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint

Auteur: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
Uitgever: [Golden, CO] : National Renewable Energy Laboratory, [2012]
Serie: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Editie/Formaat:   eBoek : Document : Conferentie-uitgave : Nationale overheidsuitgave : Engels
Database:WorldCat
Beoordeling:

(nog niet beoordeeld) 0 met beoordelingen - U bent de eerste

Onderwerpen
Meer in deze trant

 

Zoeken naar een online exemplaar

Links naar dit item

Zoeken naar een in de bibliotheek beschikbaar exemplaar

&AllPage.SpinnerRetrieving; Bibliotheken met dit item worden gezocht…

Details

Genre: Conferentie-uitgave, Document, Overheidsuitgave, Nationale overheidsuitgave, Internetbron
Soort document: Internetbron, Computerbestand
Alle auteurs / medewerkers: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
OCLC-nummer: 805582275
Opmerkingen: Title from title screen (viewed on Aug. 6, 2012).
"June 2012."
"Presented at the 2012 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Austin, Texas, June 3-8, 2012."
Beschrijving: 1 online resource (3 p.) : ill.
Serietitel: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Verantwoordelijkheid: Harvey Guthrey ... [et al.].

Beoordelingen

Beoordelingen door gebruikers
Beoordelingen van GoodReads worden opgehaald...
Bezig met opvragen DOGObooks-reviews...

Tags

U bent de eerste.

Vergelijkbare items

Bevestig deze aanvraag

Misschien heeft u dit item reeds aangevraagd. Selecteer a.u.b. Ok als u toch wilt doorgaan met deze aanvraag.

Gekoppelde data


<http://www.worldcat.org/oclc/805582275>
library:oclcnum"805582275"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
owl:sameAs<info:oclcnum/805582275>
rdf:typeschema:Book
rdfs:seeAlso
schema:about
schema:about
schema:about
schema:bookFormatschema:EBook
schema:contributor
schema:contributor
rdf:typeschema:Organization
schema:name"IEEE Photovoltaic Specialists Conference (2012 : Austin, Taxas)"
schema:contributor
schema:datePublished"2012"
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/1150458739>
schema:inLanguage"en"
schema:name"A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material preprint"
schema:publisher
rdf:typeschema:Organization
schema:name"National Renewable Energy Laboratory"
schema:url<http://purl.fdlp.gov/GPO/gpo26391>

Content-negotiable representations

Venster sluiten

Meld u aan bij WorldCat 

Heeft u geen account? U kunt eenvoudig een nieuwe gratis account aanmaken.