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A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint

Autor: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
Editora: [Golden, CO] : National Renewable Energy Laboratory, [2012]
Séries: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Edição/Formato   e-book : Documento : Publicação de conferência : Publicação de governo nacional : Inglês
Base de Dados:WorldCat
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Detalhes

Tipo de Material: Publicação de conferência, Documento, Publicação do governo, Publicação de governo nacional, Recurso Internet
Tipo de Documento: Recurso Internet, Arquivo de Computador
Todos os Autores / Contribuintes: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
Número OCLC: 805582275
Notas: Title from title screen (viewed on Aug. 6, 2012).
"June 2012."
"Presented at the 2012 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Austin, Texas, June 3-8, 2012."
Descrição: 1 online resource (3 p.) : ill.
Título da Série: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
Responsabilidade: Harvey Guthrey ... [et al.].

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