ข้ามไปที่เนือ้หา
A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint แสดงตัวอย่างรายการนี้
ปิดแสดงตัวอย่างรายการนี้
Checking...

A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material : preprint

ผู้แต่ง: Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
สำนักพิมพ์: [Golden, CO] : National Renewable Energy Laboratory, [2012]
ชุด: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
ครั้งที่พิมพ์/รูปแบบ:   หนังสืออีเล็กทรอนิกส์ : เอกสาร : สิ่งพิมพ์การประชุม : สิ่งพิมพ์รัฐบาลแห่งชาติ : English
ฐานข้อมูล:WorldCat
คะแนน:

(ยังไม่ให้คะแนน) 0 กับความคิดเห็น - เป็นคนแรก

หัวเรื่อง
เพิ่มเติมเช่นนี้

 

ค้นหาสำเนาออนไลน์

เชื่อมโยงไปยังรายการนี้

ค้นหาสำเนาในห้องสมุด

กำลังดึงข้อมูล… ค้นหาห้องสมุดที่มีรายการนี้

รายละเอียด

ขนิดวัสดุ: สิ่งพิมพ์การประชุม, เอกสาร, สิ่งพิมพ์รัฐบาล, สิ่งพิมพ์รัฐบาลแห่งชาติ, ทรัพยากรอินเตอร์เน็ต
ประเภทของเอกสาร: แหล่งข้อมูลอินเทอร์เน็ต, ไฟล์คอมพิวเตอร์
ผู้เขียนทั้งหมด : ผู้เขียนร่วม Harvey Guthrey; National Renewable Energy Laboratory (U.S.); et al
OCLC Number: 805582275
หมายเหตุ: Title from title screen (viewed on Aug. 6, 2012).
"June 2012."
"Presented at the 2012 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Austin, Texas, June 3-8, 2012."
คำอธิบาย: 1 online resource (3 p.) : ill.
หัวข้อชุด: Conference paper (National Renewable Energy Laboratory (U.S.)), 5200-54108.
ความรับผิดชอบ Harvey Guthrey ... [et al.].

รีวิว

ความคิดเห็นผู้ที่ใช้งาน
กำลังดึง รีวิว GoodReads…
Retrieving DOGObooks reviews...

แท็ก

เป็นคนแรก.

รายการคล้ายกัน

หัวเรื่องที่เกี่ยวข้อง:(2)

ยืนยันคำขอนี้

คุณอาจะร้องขอรายการนี้แล้. โปรดเลือก ตกลง ถ้าคุณต้องการดำเนินการคำขอนี้ต่อไป.

Linked Data


<http://www.worldcat.org/oclc/805582275>
library:oclcnum"805582275"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
owl:sameAs<info:oclcnum/805582275>
rdf:typeschema:Book
schema:about
schema:about
schema:about
schema:bookFormatschema:EBook
schema:contributor
<http://viaf.org/viaf/153668500>
rdf:typeschema:Organization
schema:name"National Renewable Energy Laboratory (U.S.)"
schema:contributor
schema:contributor
schema:datePublished"2012"
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/1150458739>
schema:inLanguage"en"
schema:name"A model for electron-beam-induced current analysis of mc-Si addressing defect contrast behavior in heavily contaminated PV material preprint"
schema:publisher
schema:url
schema:url<http://purl.fdlp.gov/GPO/gpo26391>

Content-negotiable representations

ปิดหน้าต่าง

กรุณาลงชื่อเข้าสู่ระบบ WorldCat 

ยังไม่มีบัญชีผู้ใช้? คุณสามารถสร้างได้อย่างง่ายดาย สร้างบัญชีผู้ใช้ฟรี.