přejít na obsah
SiGe heterojunction bipolar transistors Náhled dokumentu
ZavřítNáhled dokumentu
Probíhá kontrola...

SiGe heterojunction bipolar transistors

Autor Peter Ashburn
Vydavatel: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Vydání/formát:   Kniha : EnglishZobrazit všechny vydání a formáty
Databáze:WorldCat
Hodnocení:

(ještě nehodnoceno) 0 zobrazit recenze - Buďte první.

Předmětová hesla:
Více podobných

 

Vyhledat exemplář v knihovně

&AllPage.SpinnerRetrieving; Vyhledávání knihoven, které vlastní tento dokument...

Detaily

Typ materiálu: Internetový zdroj
Typ dokumentu: Book, Internet Resource
Všichni autoři/tvůrci: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC číslo: 53020155
Popis: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Obsahy: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Jiné tituly: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Odpovědnost: Peter Ashburn.
Více informací:

Recenze

Recenze vložené uživatelem
Nahrávání recenzí GoodReads...
Přebírání recenzí DOGO books...

Štítky

Buďte první.

Podobné dokumenty

Potvrdit tento požadavek

Tento dokument jste si již vyžádali. Prosím vyberte Ok pokud chcete přesto v žádance pokračovat.

Propojená data


<http://www.worldcat.org/oclc/53020155>
library:oclcnum"53020155"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
rdf:typeschema:MediaObject
rdf:typeschema:Book
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:alternateName"Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors"@en
schema:copyrightYear"2003"
schema:creator
schema:datePublished"2003"
schema:description"Introduction -- Basic bipolar transistor theory -- Heavy doping effects -- Second-order effects -- High-frequency performance -- Polysilicon emitters -- Properties and growth of silicon-germanium -- Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors -- Silicon bipolar technology -- Silicon-germanium heterojunction bipolar technology -- Compact models of bipolar transistors -- Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies."@en
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/702649>
schema:inLanguage"en"
schema:name"SiGe heterojunction bipolar transistors"@en
schema:numberOfPages"262"
schema:publication
schema:publisher
schema:workExample
wdrs:describedby

Content-negotiable representations

Zavřít okno

Prosím přihlaste se do WorldCat 

Nemáte účet? Můžete si jednoduše vytvořit bezplatný účet.