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SiGe heterojunction bipolar transistors

Verfasser/in: Peter Ashburn
Verlag: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Ausgabe/Format   Buch : EnglischAlle Ausgaben und Formate anzeigen
Datenbank:WorldCat
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Details

Medientyp: Internetquelle
Dokumenttyp: Buch, Internet-Ressource
Alle Autoren: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC-Nummer: 53020155
Beschreibung: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Inhalt: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Andere Titel Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Verfasserangabe: Peter Ashburn.
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