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SiGe heterojunction bipolar transistors

Autor: Peter Ashburn
Editorial: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Edición/Formato:   Libro : Inglés (eng)Ver todas las ediciones y todos los formatos
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Detalles

Tipo de material: Recurso en Internet
Tipo de documento: Libro/Texto, Recurso en Internet
Todos autores / colaboradores: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
Número OCLC: 53020155
Descripción: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Contenido: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Otros títulos: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Responsabilidad: Peter Ashburn.
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