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SiGe heterojunction bipolar transistors

Auteur : Peter Ashburn
Éditeur: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Édition/format:   Livre imprimé : AnglaisVoir toutes les éditions et tous les formats
Base de données:WorldCat
Résumé:

Features SiGe products which include chip sets for wireless cellular handsets as well as WLAN and high-speed wired network applications. This book describes the physics and technology of SiGe HBTs,  Lire la suite...

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Détails

Type d’ouvrage: Ressource Internet
Type de document: Livre, Ressource Internet
Tous les auteurs / collaborateurs: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
Numéro OCLC: 53020155
Description: xxiv, 262 pages : illustrations ; 24 cm
Contenu: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Autres titres: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Responsabilité: Peter Ashburn.
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