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SiGe heterojunction bipolar transistors

Auteur : Peter Ashburn
Éditeur : Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Édition/format :   Livre : AnglaisVoir toutes les éditions et les formats
Base de données :WorldCat
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Détails

Type d’ouvrage : Ressource Internet
Format : Livre, Ressource Internet
Tous les auteurs / collaborateurs : Peter Ashburn
ISBN : 0470848383 9780470848388
Numéro OCLC : 53020155
Description : xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Contenu : Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Autres titres : Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Responsabilité : Peter Ashburn.
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