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SiGe heterojunction bipolar transistors

Autore: Peter Ashburn
Editore: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Edizione/Formato:   Libro : EnglishVedi tutte le edizioni e i formati
Banca dati:WorldCat
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Tipo materiale: Risorsa internet
Tipo documento: Book, Internet Resource
Tutti gli autori / Collaboratori: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
Numero OCLC: 53020155
Descrizione: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Contenuti: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Altri titoli: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Responsabilità: Peter Ashburn.
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