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SiGe heterojunction bipolar transistors

저자: Peter Ashburn
출판사: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
판/형식:   도서 : 영어모든 판과 형식 보기
데이터베이스:WorldCat
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상세정보

자료 유형: 인터넷 자료
문서 형식: 책, 인터넷 자원
모든 저자 / 참여자: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC 번호: 53020155
설명: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
내용: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
다른 제목 Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
책임: Peter Ashburn.
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