doorgaan naar inhoud
SiGe heterojunction bipolar transistors Voorbeeldweergave van dit item
SluitenVoorbeeldweergave van dit item
Bezig met controle...

SiGe heterojunction bipolar transistors

Auteur: Peter Ashburn
Uitgever: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Editie/Formaat:   Boek : EngelsAlle edities en materiaalsoorten bekijken.
Database:WorldCat
Beoordeling:

(nog niet beoordeeld) 0 met beoordelingen - U bent de eerste

Onderwerpen
Meer in deze trant

 

Zoeken naar een in de bibliotheek beschikbaar exemplaar

&AllPage.SpinnerRetrieving; Bibliotheken met dit item worden gezocht…

Details

Genre: Internetbron
Soort document: Boek, Internetbron
Alle auteurs / medewerkers: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC-nummer: 53020155
Beschrijving: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Inhoud: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Andere titels: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Verantwoordelijkheid: Peter Ashburn.
Meer informatie:

Beoordelingen

Beoordelingen door gebruikers
Beoordelingen van GoodReads worden opgehaald...
Bezig met opvragen DOGObooks-reviews...

Tags

U bent de eerste.

Vergelijkbare items

Bevestig deze aanvraag

Misschien heeft u dit item reeds aangevraagd. Selecteer a.u.b. Ok als u toch wilt doorgaan met deze aanvraag.

Gekoppelde data


<http://www.worldcat.org/oclc/53020155>
library:oclcnum"53020155"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
owl:sameAs<info:oclcnum/53020155>
rdf:typeschema:Book
rdfs:seeAlso
schema:about
schema:about
rdf:typeschema:Intangible
schema:name"Heterobipolartransistor."
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:author
schema:copyrightYear"2003"
schema:datePublished"2003"
schema:description"Introduction -- Basic bipolar transistor theory -- Heavy doping effects -- Second-order effects -- High-frequency performance -- Polysilicon emitters -- Properties and growth of silicon-germanium -- Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors -- Silicon bipolar technology -- Silicon-germanium heterojunction bipolar technology -- Compact models of bipolar transistors -- Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies."
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/702649>
schema:inLanguage"en"
schema:name"SiGe heterojunction bipolar transistors"
schema:numberOfPages"262"
schema:publisher
schema:workExample
schema:workExample

Content-negotiable representations

Venster sluiten

Meld u aan bij WorldCat 

Heeft u geen account? U kunt eenvoudig een nieuwe gratis account aanmaken.