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SiGe heterojunction bipolar transistors

Autor: Peter Ashburn
Editora: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
Edição/Formato   Livro : InglêsVer todas as edições e formatos
Base de Dados:WorldCat
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Detalhes

Tipo de Material: Recurso Internet
Tipo de Documento: Livro, Recurso Internet
Todos os Autores / Contribuintes: Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
Número OCLC: 53020155
Descrição: xxiv, 262 p. : ill. ; 24 cm.
Conteúdos: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
Outros Títulos: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
Responsabilidade: Peter Ashburn.
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