ข้ามไปที่เนือ้หา
SiGe heterojunction bipolar transistors แสดงตัวอย่างรายการนี้
ปิดแสดงตัวอย่างรายการนี้
ตรวจสอบ...

SiGe heterojunction bipolar transistors

ผู้แต่ง: Peter Ashburn
สำนักพิมพ์: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
ครั้งที่พิมพ์/รูปแบบ:   หนังสือ : ภาษาอังกฤษดูครั้งที่พิมพ์และรูปแบบ
ฐานข้อมูล:WorldCat
คะแนน:

(ยังไม่ให้คะแนน) 0 กับความคิดเห็น - เป็นคนแรก

หัวเรื่อง
เพิ่มเติมเช่นนี้

 

ค้นหาสำเนาในห้องสมุด

&AllPage.SpinnerRetrieving; ค้นหาห้องสมุดที่มีรายการนี้

รายละเอียด

ขนิดวัสดุ: ทรัพยากรอินแทอร์เน็ต
ประเภทของเอกสาร: หนังสือ, แหล่งข้อมูลอินเทอร์เน็ต
ผู้แต่งทั้งหมด : ผู้แต่งร่วม Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC Number: 53020155
คำอธิบาย: xxiv, 262 pages : illustrations ; 24 cm
สารบัญ: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
ชื่อเรื่องอื่น: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
ความรับผิดชอบ: Peter Ashburn.
ข้อมูลเพิ่มเติม

รีวิว

ความคิดเห็นผู้ที่ใช้งาน
กำลังค้นคืน รีวิว GoodReads…
ค้นคืน DOGObooks บทวิจารณ์

แท็ก

เป็นคนแรก.

รายการคล้ายกัน

หัวเรื่องที่เกี่ยวข้อง:(5)

ยืนยันคำขอนี้

คุณอาจะร้องขอรายการนี้แล้. โปรดเลือก ตกลง ถ้าคุณต้องการดำเนินการคำขอนี้ต่อไป.

เชิ่อมโยงข้อมูล


<http://www.worldcat.org/oclc/53020155>
library:oclcnum"53020155"
library:placeOfPublication
library:placeOfPublication
rdf:typeschema:MediaObject
rdf:typeschema:Book
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:about
schema:alternateName"Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors"@en
schema:copyrightYear"2003"
schema:creator
schema:datePublished"2003"
schema:description"Introduction -- Basic bipolar transistor theory -- Heavy doping effects -- Second-order effects -- High-frequency performance -- Polysilicon emitters -- Properties and growth of silicon-germanium -- Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors -- Silicon bipolar technology -- Silicon-germanium heterojunction bipolar technology -- Compact models of bipolar transistors -- Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies."@en
schema:exampleOfWork<http://worldcat.org/entity/work/id/702649>
schema:inLanguage"en"
schema:name"SiGe heterojunction bipolar transistors"@en
schema:publication
schema:publisher
schema:workExample
wdrs:describedby

Content-negotiable representations

Close Window

กรุณาลงชื่อเข้าสู่ระบบ WorldCat 

ยังไม่มีบัญชีผู้ใช้? คุณสามารถสร้างได้อย่างง่ายดาย สร้างบัญชีผู้ใช้ฟรี.