ข้ามไปที่เนือ้หา
SiGe heterojunction bipolar transistors แสดงตัวอย่างรายการนี้
ปิดแสดงตัวอย่างรายการนี้
ตรวจสอบ...

SiGe heterojunction bipolar transistors

ผู้แต่ง: Peter Ashburn
สำนักพิมพ์: Hoboken, NJ : John Wiley & Sons, ©2003.
ครั้งที่พิมพ์/รูปแบบ:   Print book : ภาษาอังกฤษดูครั้งที่พิมพ์และรูปแบบ
ฐานข้อมูล:WorldCat
คะแนน:

(ยังไม่ให้คะแนน) 0 กับความคิดเห็น - เป็นคนแรก

หัวเรื่อง
เพิ่มเติมเช่นนี้

 

ค้นหาสำเนาในห้องสมุด

&AllPage.SpinnerRetrieving; ค้นหาห้องสมุดที่มีรายการนี้

รายละเอียด

ขนิดวัสดุ: ทรัพยากรอินแทอร์เน็ต
ประเภทของเอกสาร: หนังสือ, แหล่งข้อมูลอินเทอร์เน็ต
ผู้แต่งทั้งหมด : ผู้แต่งร่วม Peter Ashburn
ISBN: 0470848383 9780470848388
OCLC Number: 53020155
คำอธิบาย: xxiv, 262 pages : illustrations ; 24 cm
สารบัญ: Introduction --
Basic bipolar transistor theory --
Heavy doping effects --
Second-order effects --
High-frequency performance --
Polysilicon emitters --
Properties and growth of silicon-germanium --
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors --
Silicon bipolar technology --
Silicon-germanium heterojunction bipolar technology --
Compact models of bipolar transistors --
Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies.
ชื่อเรื่องอื่น: Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors
ความรับผิดชอบ: Peter Ashburn.
ข้อมูลเพิ่มเติม

รีวิว

ความคิดเห็นผู้ที่ใช้งาน
กำลังค้นคืน รีวิว GoodReads…
ค้นคืน DOGObooks บทวิจารณ์

แท็ก

เป็นคนแรก.

รายการคล้ายกัน

หัวเรื่องที่เกี่ยวข้อง:(5)

ยืนยันคำขอนี้

คุณอาจะร้องขอรายการนี้แล้. โปรดเลือก ตกลง ถ้าคุณต้องการดำเนินการคำขอนี้ต่อไป.

เชิ่อมโยงข้อมูล


Primary Entity

<http://www.worldcat.org/oclc/53020155> # SiGe heterojunction bipolar transistors
    a schema:CreativeWork, schema:Book ;
   library:oclcnum "53020155" ;
   library:placeOfPublication <http://id.loc.gov/vocabulary/countries/nju> ;
   library:placeOfPublication <http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Place/hoboken_nj> ; # Hoboken, NJ
   schema:about <http://id.worldcat.org/fast/832874> ; # Bipolar transistors
   schema:about <http://dewey.info/class/621.3815282/e22/> ;
   schema:about <http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Topic/silicium> ; # Silicium
   schema:about <http://id.worldcat.org/fast/942078> ; # Germanium
   schema:about <http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Topic/heterobipolartransistor> ; # Heterobipolartransistor
   schema:about <http://id.worldcat.org/fast/1118631> ; # Silicon
   schema:alternateName "Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors" ;
   schema:bookFormat bgn:PrintBook ;
   schema:copyrightYear "2003" ;
   schema:creator <http://viaf.org/viaf/33539160> ; # Peter Ashburn
   schema:datePublished "2003" ;
   schema:description "Introduction -- Basic bipolar transistor theory -- Heavy doping effects -- Second-order effects -- High-frequency performance -- Polysilicon emitters -- Properties and growth of silicon-germanium -- Silicon-germanium heterojunction bipolar transistors -- Silicon bipolar technology -- Silicon-germanium heterojunction bipolar technology -- Compact models of bipolar transistors -- Optimization of silicon and silicon-germanium bipolar technologies."@en ;
   schema:exampleOfWork <http://worldcat.org/entity/work/id/702649> ;
   schema:inLanguage "en" ;
   schema:name "SiGe heterojunction bipolar transistors"@en ;
   schema:productID "53020155" ;
   schema:publication <http://www.worldcat.org/title/-/oclc/53020155#PublicationEvent/hoboken_nj_john_wiley_&_sons_2003> ;
   schema:publisher <http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Agent/john_wiley_&_sons> ; # John Wiley & Sons
   schema:url <http://catdir.loc.gov/catdir/toc/wiley041/2003049482.html> ;
   schema:workExample <http://worldcat.org/isbn/9780470848388> ;
   wdrs:describedby <http://www.worldcat.org/title/-/oclc/53020155> ;
    .


Related Entities

<http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Agent/john_wiley_&_sons> # John Wiley & Sons
    a bgn:Agent ;
   schema:name "John Wiley & Sons" ;
    .

<http://experiment.worldcat.org/entity/work/data/702649#Topic/heterobipolartransistor> # Heterobipolartransistor
    a schema:Intangible ;
   schema:name "Heterobipolartransistor"@en ;
    .

<http://id.worldcat.org/fast/1118631> # Silicon
    a schema:Intangible ;
   schema:name "Silicon"@en ;
    .

<http://id.worldcat.org/fast/832874> # Bipolar transistors
    a schema:Intangible ;
   schema:name "Bipolar transistors"@en ;
    .

<http://id.worldcat.org/fast/942078> # Germanium
    a schema:Intangible ;
   schema:name "Germanium"@en ;
    .

<http://viaf.org/viaf/33539160> # Peter Ashburn
    a schema:Person ;
   schema:familyName "Ashburn" ;
   schema:givenName "Peter" ;
   schema:name "Peter Ashburn" ;
    .

<http://worldcat.org/isbn/9780470848388>
    a schema:ProductModel ;
   schema:isbn "0470848383" ;
   schema:isbn "9780470848388" ;
    .


Content-negotiable representations

Close Window

กรุณาลงชื่อเข้าสู่ระบบ WorldCat 

ยังไม่มีบัญชีผู้ใช้? คุณสามารถสร้างได้อย่างง่ายดาย สร้างบัญชีผู้ใช้ฟรี.