Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique (Computer file, 2013) [WorldCat.org]
skip to content
Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique Preview this item
ClosePreview this item
Checking...

Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique

Author: Dae-Young Jeon; Mireille Mouis; Gérard Ghibaudo; Université de Grenoble (2009-2014).; École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble).
Publisher: 2013.
Dissertation: Thèse de doctorat : Sciences et technologie industrielles : Grenoble : 2013.
Thèse de doctorat : Sciences et technologie industrielles : 239 - Korea University : 2013.
Edition/Format:   Computer file : Document : Thesis/dissertation : French
Summary:
L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a
Rating:

(not yet rated) 0 with reviews - Be the first.

Subjects
More like this

Find a copy online

Links to this item

Find a copy in the library

&AllPage.SpinnerRetrieving; Finding libraries that hold this item...

Details

Genre/Form: Thèses et écrits académiques
Material Type: Document, Thesis/dissertation, Internet resource
Document Type: Internet Resource, Computer File
All Authors / Contributors: Dae-Young Jeon; Mireille Mouis; Gérard Ghibaudo; Université de Grenoble (2009-2014).; École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble).
OCLC Number: 872124333
Notes: Thèse soutenue en co-tutelle.
Titre provenant de l'écran-titre.
Description: 1 online resource
Responsibility: Dae-Young Jeon ; sous la direction de Mireille Mouis.

Abstract:

L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a été anticipée par G. Moore, et est de ce fait connue sous le nom de "loi de Moore". La dimension de grille a d'ores et déjà été réduite de plus de 2 ordres de grandeur et, dans son édition2012, l'association ITRS prédit qu'elle décroîtra encore, de 22nm en 2011 à environ 6nm en 2026 [1].Toutefois, cette réduction des dimensions fait apparaître un certain nombre d'effets secondaires qui altèrent le fonctionnement idéal des transistors MOS [2].

In this dissertation, the performance of junction less transistors (JLTs) as possible candidates for the continuation of Moore's law was investigated experimentally based on an in-depth study of their electrical characteristics. Current-voltage I-V and capacitance-voltage C-V were analyzed in a wide rangeof temperatures (from 80 K to 350 K) in correlation with device operation mechanism. Lowfrequencynoise was also studied and compared to that of inversion-mode transistors. This study requirednew parameter extraction methods to be defined for JLTs. Their validity was confirmed by 2-dimensional (2D) simulation results. They will be detailed in this dissertation.

Reviews

User-contributed reviews
Retrieving GoodReads reviews...
Retrieving DOGObooks reviews...

Tags

Be the first.
Confirm this request

You may have already requested this item. Please select Ok if you would like to proceed with this request anyway.

Close Window

Please sign in to WorldCat 

Don't have an account? You can easily create a free account.