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Electrónica de potencia (3a. ed.). Preview this item
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Electrónica de potencia (3a. ed.).

Author: Muhammad H Rashid
Publisher: Naucalpan de Juárez : Pearson Educación, 2004.
Edition/Format:   eBook : Document : Spanish
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Details

Genre/Form: Electronic books
Additional Physical Format: Print version:
Rashid, Muhammad H.
Electrónica de potencia (3a. ed.).
Naucalpan de Juárez : Pearson Educación, ©2004
Material Type: Document
Document Type: Book, Computer File
All Authors / Contributors: Muhammad H Rashid
ISBN: 9789702605324 9702605326
OCLC Number: 1032719620
Notes: 5.4 PRINCIPIO DE LA OPERACIÓN DE SUBIDA.
Description: 1 online resource (908 pages)
Contents: ELECTRÓNICA DE POTENCIA (3A. ED.); PÁGINA LEGAL; CONTENIDO; PREFACIO; ACERCA DEL AUTOR; 1 INTRODUCCIÓN; 1.1 APLICACIONES DE LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA; 1.1.1 Historia de la electrónica de potencia; 1.2 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA; 1.2.1 Diodos de potencia; 1.2.2 Tiristores; 1.2.3 Transistores de potencia; 1.3 CARACTERÍSTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA; 1.4 CARACTERÍSTICAS Y ESPECIFICACIONES DE LOS INTERRUPTORES; 1.4.1 Características ideales; 1.4.2 Características de los dispositivos prácticos; 1.4.3 Especificaciones de interruptor; 1.4.4 Opciones de dispositivo. 1.5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA1.6 DISEÑO DE EQUIPO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA; 1.7 DETERMINACIÓN DEL VALOR CUADRÁTICO MEDIO DE LAS FORMAS DE ONDA; 1.8 EFECTOS PERIFÉRICOS; 1.9 MÓDULOS DE POTENCIA; 1.10 MÓDULOS INTELIGENTES; 1.11 REVISTAS Y CONFERENCIAS SOBRE ELECTRÓNICA DE POTENCIA; RESUMEN; REFERENCIAS; PREGUNTAS DE REPASO; 2 DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Y CIRCUITOS; 2.1 INTRODUCCIÓN; 2.2 FUNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES; 2.3 CARACTERÍSTICAS DEL DIODO; 2.4 CARACTERÍSTICAS DE RECUPERACIÓN INVERSA; 2.5 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA; 2.5.1 Diodos de propósito general. 2.5.2 Diodos de recuperación rápida2.5.3 Diodos Schottky; 2.6 DIODOS DE CARBURO DE SILICIO; 2.7 MODELO SPICE DE DIODO; 2.8 DIODOS CONECTADOS EN SERIE; 2.9 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO; 2.10 DIODOS CON CARGAS RC Y RL; 2.11 DIODOS CON CARGAS LC Y RL; 2.12 DIODOS DE CORRIDA LIBRE; 2.13 RECUPERACIÓN DE LA ENERGÍA APRISIONADA CON UN DIODO; RESUMEN; REFERENCIAS; PREGUNTAS DE REPASO; PROBLEMAS; 3 RECTIFICADORES CON DIODOS; 3.1 INTRODUCCIÓN; 3.2 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS DE MEDIA ONDA; 3.3 PARÁMETROS DE RENDIMIENTO; 3.4 RECTIFICADORES MONOFÁSICOS DE ONDA COMPLETA. 3.5 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL3.6 RECTIFICADORES POLIFÁSICOS EN ESTRELLA; 3.7 RECTIFICADORES TRIFÁSICOS EN PUENTE; 3.8 RECTIFICADOR TRIFÁSICO EN PUENTE CON CARGA RL; 3.9 COMPARACIONES DE RECTIFICADORES CON DIODOS; 3.10 DISEÑO DE CIRCUITOS RECTIFICADORES; 3.11 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO LC; 3.12 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS DE LA FUENTE Y DE LA CARGA; RESUMEN; REFERENCIAS; PREGUNTAS DE REPASO; PROBLEMAS; 4 TRANSISTORES DE POTENCIA; 4.1 INTRODUCCIÓN; 4.2 TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN; 4.2.1 Características en estado permanente; 4.2.2 Características de conmutación. 4.2.3 Límites de conmutación4.3 MOSFET DE POTENCIA; 4.3.1 Características en estado permanente; 4.3.2 Características de conmutación; 4.4 COOLMOS; 4.5 SIT; 4.6 IGBT; 4.7 OPERACIÓN EN SERIE Y EN PARALELO; 4.8 LIMITACIONES POR DI/DT Y POR DV/DT; 4.9 MODELOS SPICE; 4.9.1 Modelo SPICE del BJT; 4.9.2 Modelo SPICE de MOSFET; 4.9.3 Modelo SPICE del IGBT; 4.10 COMPARACIÓN DE TRANSISTORES; RESUMEN; REFERENCIAS; PREGUNTAS DE REPASO; PROBLEMAS; 5 CONVERTIDORES CD-CD; 5.1 INTRODUCCIÓN; 5.2 PRINCIPIO DE OPERACIÓN DE BAJADA; 5.2.1 Generación del ciclo de trabajo; 5.3 CONVERTIDOR DE BAJADA CON CARGA RL.

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