Émission et développement de dislocations en tête de fissure dans le silicium : analyse tridimensionnelle de l'interaction dislocation/fissure (Book, 1994) [WorldCat.org]
skip to content
Émission et développement de dislocations en tête de fissure dans le silicium : analyse tridimensionnelle de l'interaction dislocation/fissure Preview this item
ClosePreview this item
Checking...

Émission et développement de dislocations en tête de fissure dans le silicium : analyse tridimensionnelle de l'interaction dislocation/fissure

Author: Maria Angela Loyola de Oliveira; Gérard Michot; Institut national polytechnique de Lorraine.
Publisher: [Lieu de publication inconnu] : [éditeur inconnu], 1994.
Dissertation: Thèse de doctorat : Physique : Vandoeuvre-les-Nancy, INPL : 1994.
Edition/Format:   Thesis/dissertation : Thesis/dissertation : French
Summary:
Des éprouvettes monocristallines, sans dislocations, fissurées a 20c par clivage limite, sont chargées progressivement a une température suffisante (700c environ) pour que le silicium devienne ductile du fait de l'activation thermique du glissement des dislocations. Les concentrations de contraintes existant en pointe de fissure provoquent la nucléation et le développement de boucles de dislocations qui  Read more...
Rating:

(not yet rated) 0 with reviews - Be the first.

Subjects
More like this

Find a copy in the library

&AllPage.SpinnerRetrieving; Finding libraries that hold this item...

Details

Genre/Form: Thèses et écrits académiques
Material Type: Thesis/dissertation
Document Type: Book
All Authors / Contributors: Maria Angela Loyola de Oliveira; Gérard Michot; Institut national polytechnique de Lorraine.
OCLC Number: 490392318
Description: 1 vol. (148 p.)
Responsibility: Maria Angela De Oliveira Loyola ; sous la direction de Gérard Michot.

Abstract:

Des éprouvettes monocristallines, sans dislocations, fissurées a 20c par clivage limite, sont chargées progressivement a une température suffisante (700c environ) pour que le silicium devienne ductile du fait de l'activation thermique du glissement des dislocations. Les concentrations de contraintes existant en pointe de fissure provoquent la nucléation et le développement de boucles de dislocations qui exercent en retour sur la fissure des contraintes s'opposant en moyenne a sa propagation: cet effet est appelé écrantage. La partie expérimentale de cette étude est consacrée à la localisation des sources de dislocations, à la caractérisation des systèmes de glissement actives et à l'influence du chargement sur la ténacité du matériau. Le chargement en deux étapes qui a été développe permet d'activer un nombre limite de sources, puis de suffisamment étaler les configurations de dislocations pour qu'elles puissent être caractérisées par topographie aux rayons X, tout en évitant l'émission de nouvelles dislocations. L'objectif de la partie théorique de cette étude est de poser les concepts fondamentaux de l'interaction dislocation-fissure puis de l'évaluer quantitativement. Le calcul de l'écrantage et de l'ouverture de la fissure a pu être effectué analytiquement, grâce à la simplicité du formalisme lié aux états plans. Dans le cas réel, tridimensionnel, le calcul de l'écrantage a été réalisé par intégration numérique du champ de contrainte d'une boucle circulaire pondère par une fonction de poids, en utilisant le théorème de superposition.

Reviews

User-contributed reviews
Retrieving GoodReads reviews...
Retrieving DOGObooks reviews...

Tags

Be the first.
Confirm this request

You may have already requested this item. Please select Ok if you would like to proceed with this request anyway.

Close Window

Please sign in to WorldCat 

Don't have an account? You can easily create a free account.