Etude de résonateurs MEMS en GaN pour application aux capteurs inertiels (Computer file, 2016) [WorldCat.org]
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Etude de résonateurs MEMS en GaN pour application aux capteurs inertiels
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Etude de résonateurs MEMS en GaN pour application aux capteurs inertiels

Author: Christophe MorelleDidier ThéronMarc FaucherUniversité Lille 1 - Sciences et technologies (Villeneuve-d'Ascq / 1970-2017).École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille).All authors
Publisher: 2016.
Dissertation: Thèse de doctorat : Micro et nanotechnologies, acoustiques et télécommunications : Lille 1 : 2016.
Edition/Format:   Computer file : Document : Thesis/dissertation : French
Summary:
Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur dont la filière est en plein essor. Ses propriétés ont permis d'en faire le deuxième matériau semi-conducteur le plus utilisé pour les composants optiques et électroniques, après le silicium. Cependant, comparativement à ces domaines, peu d'études ont été menées quant à la réalisation de microsystèmes électromécaniques (MEMS) malgré des
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Details

Genre/Form: Thèses et écrits académiques
Material Type: Document, Thesis/dissertation, Internet resource
Document Type: Internet Resource, Computer File
All Authors / Contributors: Christophe Morelle; Didier Théron; Marc Faucher; Université Lille 1 - Sciences et technologies (Villeneuve-d'Ascq / 1970-2017).; École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Lille).; Institut d'électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (1992-....).
OCLC Number: 969438676
Notes: Titre provenant de l'écran-titre.
Description: 1 online resource
Responsibility: Christophe Morelle ; sous la direction de Didier Théron et de Marc Faucher.

Abstract:

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semi-conducteur dont la filière est en plein essor. Ses propriétés ont permis d'en faire le deuxième matériau semi-conducteur le plus utilisé pour les composants optiques et électroniques, après le silicium. Cependant, comparativement à ces domaines, peu d'études ont été menées quant à la réalisation de microsystèmes électromécaniques (MEMS) malgré des propriétés mécaniques favorables. Dans ce contexte, ces travaux présentent le développement de premiers accéléromètres MEMS résonants en filière GaN. Ces derniers reposent sur l'utilisation de poutres vibrantes possédant une forte contrainte mécanique en tension, avec un actionnement et une détection électriques intégrés. La présence de contrainte modifie significativement les performances de l'accéléromètre. Une étude théorique analytique de l'impact de la contrainte démontre ses bénéfices, notamment en termes de facteur de qualité et d'étendue de mesure. Les étapes du procédé de fabrication des composants ont été développées. Enfin, la caractérisation des accéléromètres démontre de très bonnes performances par rapport à l'état de l'art des autres filières technologiques et en accord avec les modèles préalablement établis.

The gallium nitride (GaN) is a semiconductor material for which the sector is rapidly expanding. Thanks to its properties, it have become the second most used semiconductor material for optic and electronic components, after the silicon. However, relatively to those sectors, few studies have been performed about the production of microelectromechanical systems (MEMS) despite the favorable mechanical properties. In this frame, this work presents the development of first resonant MEMS accelerometer in GaN. They are based on the use of vibrating beams which have a high tensile stress, with an integrated electrical actuation and detection. The existence of stress results in a significant modification of the performances of the accelerometer. An analytical theoretical study of the impact of the stress demonstrates its benefits, particularly for the quality factor and the measuring range. The process flow for the fabrication of the component has been developed. Finally, the characterization of the accelerometers shows very good performances compared to the state of the art of the other technologies and in agreement with the models previously established.

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