Influence de divers additifs ou impuretés, principalement l'aluminium, sur les conditions de formation du compose Cu3Si au cours de la réaction du silicium avec le chlorure cuivreux : rôle de l'épaisseur de la couche de silice sur la réactivité d'une face (100) du silicium (Book, 1988) [WorldCat.org]
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Influence de divers additifs ou impuretés, principalement l'aluminium, sur les conditions de formation du compose Cu3Si au cours de la réaction du silicium avec le chlorure cuivreux : rôle de l'épaisseur de la couche de silice sur la réactivité d'une face (100) du silicium Preview this item
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Influence de divers additifs ou impuretés, principalement l'aluminium, sur les conditions de formation du compose Cu3Si au cours de la réaction du silicium avec le chlorure cuivreux : rôle de l'épaisseur de la couche de silice sur la réactivité d'une face (100) du silicium

Author: Dominique Viale; Bernard Gillot; Université de Bourgogne.
Publisher: [S.l.] : [s.n.], 1988.
Dissertation: Thèse de doctorat : Sciences. Chimie - Physique : Dijon : 1988.
Edition/Format:   Thesis/dissertation : Thesis/dissertation : French
Summary:
L'étude des conditions de formation du composé Cu3Si au cours de la réaction d'une face Si(100) avec le chlorure cuivreux gazeux ou liquide, ou lors de la réaction d'un mélange en poudre de silicium avec le chlorure cuivreux, a montré que l'aluminium en impureté dans le silicium, ou ajoute sous forme de chlorure à CuCl, accélère la formation de Cu3Si. De plus, le fer combiné à l'aluminium ralentit la  Read more...
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Details

Genre/Form: Thèses et écrits académiques
Material Type: Thesis/dissertation
Document Type: Book
All Authors / Contributors: Dominique Viale; Bernard Gillot; Université de Bourgogne.
OCLC Number: 490352608
Description: 187 p. : ill. ; 30 cm.
Responsibility: par Dominique Viale ; [sous la direction de] B. Gillot,....

Abstract:

L'étude des conditions de formation du composé Cu3Si au cours de la réaction d'une face Si(100) avec le chlorure cuivreux gazeux ou liquide, ou lors de la réaction d'un mélange en poudre de silicium avec le chlorure cuivreux, a montré que l'aluminium en impureté dans le silicium, ou ajoute sous forme de chlorure à CuCl, accélère la formation de Cu3Si. De plus, le fer combiné à l'aluminium ralentit la transformation de Cu3Si en cuivre, ce qui a pour effet de maintenir une fraction massique de Cu3Si élevé tout au long de la réaction. La silice toujours présente à la surface des monocristaux de silicium joue un rôle déterminant sur la germination du composé Cu3Si, qui s'effectue par l'intermédiaire des défauts de cette couche protectrice. Une diminution de l'épaisseur de la couche de silice accélère la germination de Cu3Si.

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